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AW3112DNR
AW3112DNR
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- 描述
- 30V/3A,低饱和压降PNP三级管集成20V沟槽式N-MOSFET
- 品牌名称
- AWINIC(艾为)
- 商品型号
- AW3112DNR
- 商品编号
- C498339
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
AW3112 是一款利用平面外延工艺生产的 30V PNP 功率三极管,同时集成了 20V 沟槽式 NMOSFET,做为基极开关管。AW3112 拥有很小的集电极 - 发射极间饱和压降以及很高的电流增益,特别适用于锂电池的大电流线性充电。AW3112 提供纤小 DFN2X2 - 6L 封装,额定的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C
商品特性
- 集电极 - 发射极间低饱和压降
- 大电流驱动能力
- 高电流增益
- 集成 20V 沟槽式 NMOSFET
- 可提供 DFN2X2 - 6L 封装
- 符合 ROHS 规范