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BLP045N10-P
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。适用于电机驱动器和电池管理系统。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLP045N10-P
- 商品编号
- C48677264
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 955pF |
商品概述
BLP045N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和电池管理系统（BMS）。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（RDS(on) ≤ 4.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电机驱动器
- 电池管理系统（BMS）