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MDDG03R04Q
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 30V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG03R04Q
- 商品编号
- C48615221
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V；3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 468pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了MDD半导体公司先进的功率沟槽工艺，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借一流的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时，最大RDS(导通) = 4.3 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
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