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MDDG10R08G
100V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 100V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG10R08G
- 商品编号
- C48615220
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 638pF |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造,该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化,可在保持卓越开关性能和一流软体二极管特性的同时,将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时,最大RDS(on) = 8 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-交/直流快速充电器的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-电池管理系统
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