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IXFH50N85X实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFH50N85X

1个N沟道 耐压:850V

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描述
特性:国际标准封装。高压封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFH50N85X
商品编号
C497188
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.983克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))5.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.48nF@25V
反向传输电容(Crss)116pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
配置-
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(DMOST)技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 60V、28A,栅源电压为10V时,漏源导通电阻最大值为31mΩ
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 提供环保型器件

应用领域

  • 电机驱动
  • 不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器

数据手册PDF