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STD16NF06LT4
N沟道，60V、0.060Ω、24A，DPAK/IPAK封装，STripFET II功率MOSFET
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用意法半导体独特的“单特征尺寸™”条形工艺最新研发而成。由此产生的晶体管在低导通电阻方面展现出极高的封装密度，具备坚固的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有出色的制造再现性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD16NF06LT4
- 商品编号
- C48580222
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、出色的雪崩特性,且对准步骤要求较低,因此具有卓越的制造可重复性。
商品特性
- 逻辑电平器件
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用
- iPAK
- DPAK