温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30V/3.6A单通道2N功率MOSFET 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on) 无铅引脚镀层；符合RoHS标准 绿色环保产品 100%进行UIS测试和IUU% Kg测试
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