1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
- 5+: ¥1.6174 / 个
- 50+: ¥1.3152 / 个
- 150+: ¥1.1857 / 个
- 500+: ¥1.0242 / 个
- 3000+: ¥0.9522 / 个 (折合1圆盘2856.6元)
5+: |
¥1.6174 / 个 |
50+: |
¥1.3152 / 个 |
150+: |
¥1.1857 / 个 |
500+: |
¥1.0242 / 个 |
3000+: |
¥0.9522 / 个 (折合1圆盘2856.6元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
功率(Pd) | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44.1mΩ@10V,6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |