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SM6362D1RL
N-MOS 30V 60A
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- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM6362D1RL
- 商品编号
- C496525
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V；3.05nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
30V/60A单N沟道功率MOSFET 在VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(on)极低 无铅引脚镀层；符合RoHS标准 100%进行UIS测试和100%进行Kg测试
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