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NVMFWS1D1N04XMT1G
NVMFWS1D1N04XMT1G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS1D1N04XMT1G
- 商品编号
- C48398209
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.015nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),以降低传导损耗
- 低电容,以降低驱动损耗
- 小尺寸(5 x 6 mm),设计紧凑
- 通过 AECQ101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机驱动
- 电池保护
- 同步整流