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STB12NM50T4
1个N沟道 耐压:550V 电流:12A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB12NM50T4
- 商品编号
- C495231
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.951克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@400V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
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