商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 330mV@1mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 20mA | |
| 反向电流(Ir) | - | |
| 工作结温范围 | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
MA4E2501L - 1290 SURMOUNT™肖特基二极管是采用专利异质微波集成电路（HMIC）工艺制造的硅低势垒器件。HMIC电路由形成二极管或过孔导体的硅基座组成，这些基座嵌入玻璃电介质中，玻璃电介质作为低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使HMIC器件在低轮廓、可靠的器件中具有出色的损耗和功率耗散特性。
肖特基器件是需要梁式引线器件的小寄生参数和芯片卓越机械性能的电路的理想选择。SURMOUNT™结构采用极低电阻的硅过孔，将肖特基触点连接到芯片底面的金属化安装焊盘。这些器件可靠、可重复，并且是传统器件的低成本高性能解决方案。
SURMOUNT™肖特基结制造中采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，这使得所有器件都能在300°C下进行16小时的非工作稳定烘烤。
极小的“0201”外形允许表面贴装和多功能极性取向。
MA4E2501L - 1290 SURMOUNT™低势垒肖特基二极管推荐用于微波电路，直至Ku波段频率的低功率应用，如混频器、次谐波混频器、探测器和限幅器。
商品特性
- 极低的寄生电容和电感。
- 极小的0201（600 x 300μm）封装尺寸。
- 可用于微波电路的表面贴装，无需引线键合。
- 采用聚酰亚胺划痕保护的坚固HMIC结构。
- 可靠的多层金属化，带有扩散阻挡层，100%稳定烘烤（300°C，16小时）。