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MADS-002502-1246LP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 正向压降(Vf) | 330mV@1mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 20mA | |
| 反向电流(Ir) | - | |
| 工作结温范围 | - | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - |
商品概述
MA4E2502 Surmount™系列二极管是采用专利异质微波集成电路（HMIC）工艺制造的硅基低、中、高势垒肖特基器件。HMIC电路由硅基座组成，这些基座形成二极管或过孔导体，嵌入玻璃电介质中，玻璃电介质作为低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使HMIC器件在低外形、可靠的封装中具备出色的损耗和功率耗散特性。
Surmount™肖特基器件是需要梁式引线器件的小寄生参数和芯片卓越机械性能的电路的理想选择。Surmount™结构采用极低电阻的硅过孔，将肖特基触点连接到芯片底部表面的金属化安装焊盘。这些器件可靠、可重复，并且是传统器件的低成本高性能解决方案。与传统梁式引线肖特基二极管相比，它们对静电放电的敏感性更低。
制造SurmountTM肖特基结时采用的多层金属化包括铂扩散阻挡层，这使得所有器件都能在300°C下进行16小时的非工作状态稳定烘烤。
“0502”外形允许表面贴装和多功能极性取向。
MA4E2502系列Surmount™肖特基二极管推荐用于微波电路，直至Ku波段频率的低功率应用，如混频器、次谐波混频器、探测器和限幅器。HMIC结构便于用相应的Surmount™二极管直接替代更脆弱的梁式引线二极管，该二极管可以通过焊接连接到硬或软基板电路。
商品特性
- 极低的寄生电容和电感
- 可用于微波电路的表面贴装，无需引线键合
- 采用聚酰亚胺划痕保护的坚固HMIC结构
- 可靠的多层金属化，带有扩散阻挡层，100%进行稳定烘烤（300°C，16小时）
- 对ESD损伤的敏感性更低
应用领域
MA4E2502系列Surmount™肖特基二极管推荐用于直至Ku波段频率的微波电路的低功率应用，如混频器、次谐波混频器、探测器和限幅器。