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IGD70R270D2SAUMA1引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IGD70R270D2SAUMA1

高效氮化镓晶体管,适用于功率转换,具备窄生产公差和高质量

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商品型号
IGD70R270D2SAUMA1
商品编号
C48008577
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型N沟道
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)5.8A
耗散功率(Pd)18W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)1nC
输入电容(Ciss)74pF
反向传输电容(Crss)0.17pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)12pF
导通电阻(RDS(on))270mΩ

商品概述

英飞凌的 CoolGaN™ 是一款高效的氮化镓 (GaN) 晶体管,专为 700 V 功率转换而设计。它能够实现更高的功率密度,支持降低系统物料清单成本,并有助于实现小型化的外形尺寸。采用 200 mm (8 英寸) 晶圆技术和全自动化生产线生产,具有较窄的生产公差和最高的产品质量。

商品特性

  • 增强型晶体管
  • 超快速开关
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向导通
  • 低栅极和输出电荷
  • 卓越的换向耐用性

应用领域

零电流导通的消费类 QR 应用,如充电器、适配器、电视电源、家用电器(不推荐用于硬开关拓扑)

数据手册PDF