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KO6604
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV；400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V；11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@20V；745pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@10V；70pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品特性
- N沟道：VDS = 20 V，ID = 3.4 A
- RDS(ON) < 65 mΩ（VGS = 4.5 V）
- RDS(ON) < 75 mΩ（VGS = 2.5 V）
- RDS(ON) < 100 mΩ（VGS = 1.8 V）
- P沟道：VDS = -20 V，ID = -2.5 A
- RDS(ON) < 75 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS(ON) < 95 mΩ（VGS = -2.5 V）
- RDS(ON) < 115 mΩ（VGS = -1.8 V）