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NX1029X,115
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 50V 电流:330mA 170mA
- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX1029X,115
- 商品编号
- C489243
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA；170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V；4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF；24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF；1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF；7pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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