温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IS25LP128-JLLE

具有多I/O接口的3V串行闪存存储器，支持标准SPI、快速、双、双I/O、四I/O、SPIDTR、双I/ODTR、四I/ODTR和QPI，具备高级安全保护和高性能

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS25LP128-JLLE
商品编号: C47521266
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 3.02克(g)

商品参数

商品概述

IS25LP128串行闪存存储器在简化引脚数的封装中提供了一种通用的存储解决方案，具有高度的灵活性和性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数和功耗要求较低的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O（参见引脚描述）。该设备支持双I/O和四I/O以及标准和双输出SPI。高达133MHz的时钟频率可实现高达532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于66Mbytes/s的数据吞吐量。IS25xP系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，该命令可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超过16位并行闪存存储器，从而实现高效的内存访问，以支持XIP（就地执行）操作。出厂时，存储阵列的初始状态为擦除状态（所有位都设置为1）。 QPI（四外设接口）支持2周期指令，进一步减少了指令时间。页面可以按4Kbyte扇区、32Kbyte块、64Kbyte块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构具有高度的灵活性，因此该设备可用于各种需要可靠数据保留的应用。

商品特性

IS25LP128：128Mbit/16Mbyte
每个可编程页面256字节
支持标准SPI、快速、双、双I/O、四I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四I/O DTR和QPI
双传输速率（DTR）选项
支持串行闪存可发现参数（SFDP）
在Vcc = 2.7V至3.6V时，133Mhz快速读取
在Vcc = 2.3V至3.6V时，104Mhz快速读取
QPI操作时等效532MHz
50MHz正常读取
DTR（双传输速率）高达66MHz
可选的空周期
可配置的驱动强度
支持SPI模式0和3
超过100,000次擦除/编程周期
超过20年的数据保留
具有统一扇区/块擦除（4/32/64 Kbyte）的芯片擦除
每页编程1至256字节
编程/擦除暂停和恢复
低指令开销操作
连续读取8/16/32/64字节突发回绕
可选的突发长度
QPI可减少指令开销
单2.3V至3.6V电压供电
5 mA有源读取电流
10 µA待机电流
5 µA深度掉电
温度等级：扩展级：-40°C至+105°C；自动级（A3）：-40°C至+125°C
软件和硬件写保护
电源锁定保护
4x256字节专用安全区域，带有OTP用户可锁定位
每个设备有128位唯一ID（联系厂家）
B = 8引脚SOIC 208mil
K = 8触点WSON 6x5mm
L = 8触点WSON 8x6mm
M = 16引脚SOIC 300mil
G = 24球TFBGA 6x8mm 4x6
H = 24球TFBGA 6x8mm 5x5（联系厂家）
W = KGD（联系厂家）
绿色封装（符合RoHS标准、无卤素）且符合TSCA标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	128Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	10uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	200us
	块擦除时间(tBE)	150ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	-