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MMDT4146-7-F-HXY
NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 此款NPN与PNP组合型三极管（BJT）集电极电流IC为0.2A，适合于中小功率电路设计。最大集-射极电压VCEO达到40V，确保在多种操作环境下的稳定表现。直流电流增益HFE范围是100至300，体现了出色的信号放大能力，能够精准地增强信号强度。其高过渡频率FT为300MHz，特别适用于需要高速响应和精确放大的应用场合，如无线通信设备、音频处理及精密测量仪器等，满足对性能和效率有较高要求的电子设计需求。
- 商品型号
- MMDT4146-7-F-HXY
- 商品编号
- C47506905
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 300@1V,10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- 互补对。
- 一个3904型NPN晶体管。
- 一个3906型PNP晶体管。
- 外延平面芯片结构。
- 非常适合低功率放大和开关应用。