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BC850BWE6327-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BC850BWE6327-HXY

NPN塑料封装晶体管

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
此款NPN三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流(IC),适合于信号放大与处理。其集电极-发射极电压(VCEO)为45V,保证了在高电压应用中的稳定性与可靠性。直流电流增益(HFE)范围在200至450之间,使得它在低功率应用中表现出色,特别是在需要高增益的电路设计里。此外,该三极管的过渡频率(FT)达到了100MHz,表明它同样适用于高频工作环境,能够满足无线通信设备等应用场景的需求。
商品型号
BC850BWE6327-HXY
商品编号
C47506895
商品封装
SOT-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.020667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)150mW
特征频率(fT)100MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)15nA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN
配置独立式

商品特性

  • 集电极电流容量 Ic = 0.2A
  • 集电极-发射极电压 VCEO = 40V

数据手册PDF