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LT4422AV#TRPBF
28V, 4A理想二极管
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- 描述
- 是一款理想的 1.9V 至 28V 二极管，集成 P 沟道 MOSFET。启用时，15mV 正向电压调节可最大限度地降低功耗，同时与肖特基二极管相比，可增加工作裕量和效率。能轻松将电源并联以提高系统可靠性并防止反向传导。未启用时可在输出端阻断高达 28V 的电压，同时漏电流小于 1μA（典型值），比典型的肖特基二极管有显著改善，可延长电池寿命。快速的 OUT 到 IN 反向偏置检测可最大限度地减少反向电流，防止输入电池意外充电。当处于关断或反向偏置状态时，开漏 STATUS 输出会拉低。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LT4422AV#TRPBF
- 商品编号
- C47361577
- 商品封装
- LDFN-10(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 1.9V~28V | |
| FET类型 | 内置FET | |
| 通道数 | 1 | |
| 正向压降(Vf) | 25mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 静态电流(Iq) | 10uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 带使能；反向极性保护；反向电流阻断 |
商品概述
该器件是一款集成P沟道MOSFET的1.9V至28V理想二极管。启用时，其15mV正向电压调节功能可最大限度地降低功耗，同时与肖特基二极管相比，提高了工作裕度和效率。它可轻松实现电源的“或”逻辑连接，以提高系统可靠性并防止反向导通。未启用的器件可在输出端阻断高达28V的电压，同时表现出低于1μA（典型值）的漏电流，这比典型肖特基二极管有数个数量级的改进，从而延长电池寿命。快速的输出到输入反向偏压检测可最大限度地减少反向电流，防止对输入电池产生不必要的充电。当器件处于关断或反向偏压状态时，其开漏状态输出引脚会拉低。
商品特性
- 内部50mΩ功率路径
- 宽工作电压范围：1.9V至28V
- 反向电流保护
- 低至10μA的静态电流
- 对负载阶跃的快速3μs响应
- 低至500nA的关断状态电流
- 在二极管“或”逻辑应用中实现平滑切换
- 10引脚（3×2×0.75mm）LDFN封装
应用领域
- 肖特基二极管替换
- 电池与壁式适配器的二极管“或”逻辑连接
- 备用电池的二极管“或”逻辑连接
- 工业和消费类手持设备应用