温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSA35N50M
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO-3P，N沟道，35N50，500V，35A，0.155Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSA35N50M
- 商品编号
- C47355606
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
CMSL008N06A采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
- 60V、典型值1.1mΩ、350A的N沟道MOSFET
应用领域
- 电机驱动器
- 电池保护
- 电源分配
相似推荐
其他推荐