温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DTC123JE
50V 100mA
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此系列NPN数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个NPN晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该BRT将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用BRT可以同时降低系统成本和节省PCB板空间。适用于开关、反相器及接口电路。
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- DTC123JE
- 商品编号
- C47344289
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V@5mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | 2.86kΩ | |
| 电阻比率 | 26 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点
- 只需设置开/关状态即可操作，使器件设计变得简单