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2SD1664-R实物图
  • 2SD1664-R商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2SD1664-R

低 VcE(sat) 的晶体管

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描述
晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 1A 集射极击穿电压(Vceo): 32V 耗散功率(Pd): 500mW
品牌名称
TWGMC(迪嘉)
商品型号
2SD1664-R
商品编号
C47283701
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.1412克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)32V
耗散功率(Pd)500mW
特征频率(fT)150MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)500nA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@500mA,50mA
射基极击穿电压(Vebo)5V
配置独立式

商品特性

  • 低VCE(sat),VCE(sat) = 0.15 V(典型值)。(IC / IB = 500 mA / 50 mA)
  • SOT-89封装
  • 符合标准

数据手册PDF