MCP6V87T-E/MNY
MCP6V87T-E/MNY
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MCP6V87T-E/MNY
- 商品编号
- C4371101
- 商品封装
- TDFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 5MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 2pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电压(Vos) | 25uV | |
| 压摆率(SR) | 4V/us | |
| 轨到轨 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
MCP6V86/6U/7/9系列运算放大器可对输入失调电压进行校正,实现极低的失调和失调漂移。这些器件的增益带宽积为5 MHz(典型值)。它们具有单位增益稳定性,几乎没有1/f噪声,并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。这些产品采用单电源供电,最低供电电压可达2.2V,每放大器的静态电流为500 μA(典型值)。 MCP6V86/6U/7/9系列增强了电磁干扰(EMI)防护功能,可最大程度减少来自外部源的电磁干扰。这一特性使其非常适合对EMI敏感的应用,如电力线、无线电台和移动通信等。 MCP6V86/6U/7/9运算放大器提供单通道(MCP6V86和MCP6V86U)、双通道(MCP6V87)和四通道(MCP6V89)封装。它们采用先进的CMOS工艺设计。
商品特性
- 高直流精度:
- 失调电压漂移(V₀ₛ Drift):±150 nV/°C
- 输入失调电压(VOS):±25 μV(最大值)
- 开环增益(Aₒₗ):111 dB(最小值,VDD = 5.5V)
- 电源抑制比(PSRR):110 dB(最小值,VDD = 5.5V)
- 共模抑制比(CMRR):112 dB(最小值,VDD = 5.5V)
- 输入电压噪声峰峰值(Eₙᵢ):0.28 μVₚ₋ₚ(典型值),f = 0.1 Hz至10 Hz
- 输入电压噪声峰峰值(Eₙᵢ):0.1 μVₚ₋ₚ(典型值),f = 0.01 Hz至1 Hz
- 增强的EMI防护:
- 1.8 GHz下的电磁干扰抑制比(EMIRR):101 dB
- 低功耗和宽电源电压范围:
- 静态电流(IQ):0.5 mA/放大器(典型值)
- 宽电源电压范围:2.2V至5.5V
- 小封装:
- 单通道采用SC70、SOT - 23封装
- 双通道采用8引脚MSOP、2 x 3 TDFN封装
- 四通道采用14引脚TSSOP封装
- 易于使用:
- 轨到轨输入/输出
- 增益带宽积:5 MHz(典型值)
- 单位增益稳定
- 宽温度范围:-40°C至+125°C
应用领域
- 便携式仪器
- 传感器调理
- 温度测量
- 直流失调校正
- 医疗仪器
优惠活动
购买数量
(3300个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3300个/圆盘
总价金额:
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