LF356BMX
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 5MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 30pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 12V/us | |
| 静态电流(Iq) | 5mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 3uV/℃ | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这些是首批将匹配良好、高电压JFET与标准双极型晶体管（Bi-FET技术）集成在同一芯片上的单片JFET输入运算放大器。这些放大器具有低输入偏置电流和失调电流、低失调电压和失调电压漂移，并且带有不会降低漂移或共模抑制比的失调调节功能。这些器件还设计有高摆率、宽频带、极快的建立时间、低电压噪声和电流噪声以及低1/f噪声拐点。
应用领域
- 精密高速积分器
- 快速D/A和A/D转换器
- 高阻抗缓冲器
- 宽带、低噪声、低漂移放大器
- 对数放大器
- 光电池放大器
- 采样保持电路