与TL06x系列低功耗BiFET运算放大器相比，TL03x系列JFET输入运算放大器的直流和交流特性有所改善。片上齐纳微调失调电压可实现低至1.5 mV（TL031A）的精密等级，从而在直流耦合应用中实现更高的精度。德州仪器改进的BiFET工艺和优化设计在不增加功耗的情况下，还提高了带宽和压摆率。TL03x器件与TL06x引脚兼容，可用于升级现有电路或在新设计中实现最佳性能。 BiFET运算放大器在不牺牲与双极放大器相关的输出驱动能力的情况下，具有JFET输入晶体管固有的更高输入阻抗。这种更高的输入阻抗使TL03x放大器更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有可比功耗的双极或CMOS器件相比，这些器件还具有更好的交流响应特性。 TL03x系列针对微功耗运行进行了优化，同时提升了TLO6x系列的性能。需要更快交流响应的设计人员应考虑Excalibur TLE206x系列低功耗BiFET运算放大器。 由于BiFET运算放大器设计用于双电源供电，因此在单电源供电时，必须注意共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置，并且负载应端接至电源中点的虚拟地节点。德州仪器的TLE2426集成虚拟地发生器在单电源供电的BiFET放大器中非常有用。 TL03x器件在±15 V和±5 V下进行了全面的规格测试。对于低压和/或单电源系统中的应用，建议使用德州仪器的LinCMOS系列运算放大器（TLC前缀）。从BiFET放大器转换为CMOS放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求和输出负载。 后缀为C的器件适用于0℃至70℃的工作温度范围。后缀为I的器件适用于 -40℃至85℃的工作温度范围。后缀为M的器件适用于 -55℃至125℃的 温度范围。
