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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LMC662EN
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 2 | |
| 轨到轨 | 轨到轨输出 | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 1.3uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 1.1V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 0.002pA | |
| 输入失调电流(Ios) | 60pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | 22nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 83dB | |
| 静态电流(Iq) | 400uA | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 单电源电压 | 5V~15V | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
LMC662是CMOS双运算放大器，适合单电源工作。它的工作电压范围为+5V至+15V，具备轨到轨输出摆幅，输入共模范围包含地。过去困扰CMOS放大器的性能问题在该设计中不存在。输入失调电压VOS、温漂、宽带噪声，以及带实际负载（2kΩ和600Ω）时的电压增益，均等于或优于普遍认可的双极型等效产品。该芯片采用先进的Double-Poly Silicon-Gate CMOS工艺制造。
商品特性
- 轨到轨输出摆幅
- 适用于2kΩ和600Ω负载
- 高电压增益:126 dB
- 低输入失调电压:3 mV
- 低失调电压温漂:1.3 μV/℃
- 极低输入偏置电流:2 fA
- 输入共模范围包含V-
- 电源工作范围为+5V至+15V
- ISS = 400 μA，放大器电流独立于V+
- 低失真:10 kHz时失真为0.01%
- 压摆率:1.1 V/μs
- 提供扩展温度范围版本（-40℃至+125℃），适合汽车应用
应用领域
- 高阻抗缓冲器或前置放大器
- 精密电流-电压转换器
- 长期积分器
- 采样保持电路
- 峰值检波器
- 医疗仪器
- 工业控制
- 汽车传感器