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SI8457DB-T1-E1
1个P沟道 耐压:12V 电流:6.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8457DB-T1-E1
- 商品编号
- C485581
- 商品封装
- MicroFoot-4(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 620pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道12 V（D - S）MOSFET，采用MICRO FOOT 1.6 x 1.6封装。TrenchFET P沟道第三代和MICRO FOOT功率MOSFET技术，每外形面积具有极低的导通电阻。超小外形尺寸，最大为1.6 mm x 1.6 mm，超薄高度最大为0.6 mm。适用于电池供电的紧凑型设备，可减少电路板空间需求，改善热性能，减轻有引脚封装产品常见的寄生效应。可采用与表面贴装器件大批量组装相同的工艺技术进行处理，在不使用底部填充的情况下实现可靠性能，适用于便携式设备等空间受限的应用。
商品特性
- TrenchFET® P沟道第三代和MICRO FOOT功率MOSFET技术,每外形面积具有极低的导通电阻
- 超小外形,最大尺寸为1.6 mm x 1.6 mm
- 超薄高度,最大为0.6 mm
应用领域
-电源管理