TLV2341IDG4

TLV2341运算放大器专为低压单电源应用开发，额定工作电压范围为 2 V 至 8 V。该器件采用Texas Instruments的硅栅LinCMOST™技术，可实现低功耗、低压运行以及出色的失调电压稳定性。LinCMOST™技术还可实现极高的输入阻抗和低偏置电流，允许直接连接至高阻抗源。TLV2341提供偏置选择功能，允许对器件设置不同的电源电流范围，从而获得不同的交流性能水平。电源电流可设置为 17 μA、250 μA 或 1.5 mA，对应压摆率规格范围为 0.02 V/μs 至 2.1 V/μs（在 3 V 电源下）。TLV2341运算放大器特别适合单电源应用，在 3 V 和 5 V 电源下均已完成完整的额定与表征。该器件的低压单电源运行特性结合低功耗，使其适用于远程、不可访问或便携式电池供电应用。共模输入范围包含负电源轨。器件的输入和输出设计为可承受 -100 mA 电流而不会发生闩锁。TLV2341集成了内部ESD保护电路，按照MIL-STD 883 C方法3015.2测试，可防止电压最高达 2000 V 时发生功能故障；使用该器件时仍需注意处理方式，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能退化。D封装可提供卷带包装，器件型号需添加后缀R（例如TLV2341IDR）；PW封装仅提供左端卷带包装（例如TLV2341PWLE）。偏置选择功能可让用户根据所需性能水平从三个偏置等级中任选其一，偏置等级之间的权衡在于交流性能和功耗。偏置选择通过将BIAS SELECT引脚连接至三个电压等级之一实现；对于中偏置应用，建议将偏置选择引脚连接至电源轨的中点。该方式在双电源应用中很简单，因为该点即为地。在单电源应用中，中偏置模式需要使用分压器，分压器使用大阻值电阻可减少分压器从电源线路消耗的电流，但是大阻值电阻结合大电容需要很长时间才能在电源开启后充电至电源中点，只要电压符合规定范围，也可使用非中点电压。TLV2341Y裸片正确组装后，具有与TLV2341相似的特性。可对掺杂铝焊盘使用热压焊或超声键合，裸片可使用导电环氧树脂或金硅预成型片安装。最高结温Tjmax = 150℃。

• 额定温度范围内电源电压范围宽:TA = -40℃ 至 85℃，电源电压范围 2 V 至 8 V
• 在 3 V 和 5 V 电源下完成完整表征
• 支持单电源运行
• 共模输入电压范围可延伸至负电源轨以下，25℃下最高可达 VDD - 1 V
• 输出电压范围包含负电源轨
• 高输入阻抗，典型值为 10^12 Ω
• 低噪声，高偏置模式下 f = 1 kHz 时典型值为 25 nV/√Hz
• 集成ESD保护电路
• 设计具备闩锁防护能力
• 具备偏置选择功能，25℃下电源电流范围为 17 μA 至 1.5 mA
• 高偏置模式下具备低失调电压漂移、高输入阻抗、低噪声，速度接近BiFET器件，功耗仅为BiFET器件的一小部分
• 中偏置模式下具备低失调电压漂移、高输入阻抗、低噪声，速度与通用双极型器件相近，功耗仅为双极型器件的一小部分
• 低偏置模式下具备低失调电压漂移、高输入阻抗、极低功耗、高差分电压增益

• 低压单电源应用
• 远程、不可访问类应用
• 便携式电池供电应用