R2A15112FP#U01T
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R2A15112FP#U01T
- 商品编号
- C4367984
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 2 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | |
| 压摆率(SR) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | - | |
| 输入失调电流(Ios) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 使能/关断功能 |
商品特性
- 输出功率：单端（SE）结构下，15Wx2ch（4Ω，VD = 21V，总谐波失真THD = 10%）；单端结构下，10Wx2ch（8Ω，VD = 24V，THD = 10%）；桥接负载（BTL）结构下，30Wx1ch（8Ω，VD = 21V，THD = 10%）；桥接负载结构下，20Wx1ch（8Ω，VD = 18V，THD = 10%）
- 瑞萨原装电路实现高功率效率
- 内置用于输出驱动的2通道桥接负载N沟道MOSFET
- 无噗声
- 内置过流、过热和欠压等各种检测功能
- 内置用于错误检测的监控引脚
- 过流检测电平可通过外部电阻调节
- 载波频率可通过外部电阻调节
- 内置静音和待机功能
- 增益设置可进行4级可编程更改
- 最大输出功率：单端结构下15W×2ch（VD = 25V，6Ω）；桥接负载结构下30W×1ch（VD = 21V，8Ω）；额定35W（RL = 4Ω，VD = 18V，THD = 10%，BTL）；最大50W（RL = 4Ω，VD = 21V，THD = 10%，BTL）
- 瑞萨原装电路实现低噪声和低失真特性
- 高速开关
- 无需散热片
- 内置过流、过热和欠压等各种保护功能
- 可提供外部时钟输入
- 总谐波失真：0.01%
- 功率效率：85%
- 数字预驱动级电源电压：9V ~ 11V
- 输出级电源电压：10V ~ 24V
- 扬声器阻抗：4 ~ 80Ω