我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
LSGC10R035实物图
  • LSGC10R035商品缩略图
  • LSGC10R035商品缩略图
  • LSGC10R035商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSGC10R035

1个N沟道 耐压:100V 电流:180A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
LSGC10R035
商品编号
C483749
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.838克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)181W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)123nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)9.43nF@50V
反向传输电容(Crss)48pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 100V、180A,RDS(导通)最大值 = 3.5 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器

数据手册PDF