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LSGC10R035

1个N沟道 耐压:100V 电流:180A

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商品型号
LSGC10R035
商品编号
C483749
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.838克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)181W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)123nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)9.43nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)882pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 100V、180A,RDS(导通)最大值 = 3.5 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

-电机驱动器-不间断电源(UPS)-DC-DC转换器

数据手册PDF