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FDN340P-GK
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
- 描述
- 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- FDN340P-GK
- 商品编号
- C46962148
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032744克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDN340P是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 FDN340P符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。 极低的栅极电荷 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制能力 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 负载点（POL）应用
- 主板/显卡/Vcore
- 负载开关
- 开关电源二次侧同步整流