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CMT8602B-N引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMT8602B-N

高可靠性隔离式双通道栅极驱动器

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描述
隔离式栅极驱动器 双通道 驱动电流:4A-6A 隔离电压:3750V 欠压保护:9V CMTI(kV/us):150kV/us 温度范围:-40℃~+125℃ 应用等级:工业级
商品型号
CMT8602B-N
商品编号
C46962131
商品封装
SOP-16-150mil​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥;低边;高边
负载类型MOSFET、IGBT、SiC
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+125℃
上升时间(tr)6ns
属性参数值
下降时间(tf)7ns
传播延迟 tpLH35ns
传播延迟 tpHL40ns
输入高电平(VIH)1.6V~2V
输入低电平(VIL)0.8V~1.2V
静态电流(Iq)1.4mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压9V~25V
功能特性死区时间控制

商品概述

CMT8602X 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具备 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流能力。该器件专为驱动工作频率高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计,具有出色的传播延迟和脉宽失真性能。输入侧通过一个 5700 Vrms 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度最小值为 150 kV/us。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500V 的工作电压。每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间可编程的半桥驱动器。使能引脚设为高电平时可同时关断两个输出,保持开路或接地时器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

商品特性

  • 通用配置:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围:-40℃ ~ 125℃
  • 4A 峰值拉电流,6A 峰值灌电流输出
  • 3V ~ 5.5V 输入 VCCI 工作范围,可连接数字和模拟控制器
  • 共模瞬态抗扰度 CMTI 大于 150 kV/us
  • 隔离层寿命 > 40年
  • TTL 和 CMOS 兼容
  • 高达 30V 的 VDD 输出驱动电源,提供 9V 和 13V VDD UVLO 选项
  • 开关参数:40 ns 典型传播延迟,50 ns 最小脉冲宽度,5 ns 最大延迟匹配,9 ns 最大脉宽失真
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 25ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 电源定序快速禁用
  • 安全相关认证:符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V 增强型隔离;符合 UL1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离;获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准;申请 CQC 认证,符合 GB4943.1-2011 标准
  • 采用 SOW14 / SOW16 / SOP16 封装

应用领域

  • HEV 和 EV 电池充电器
  • 直流/直流和交流/直流电源中的隔离式转换器
  • 电机驱动和直流/交流光伏逆变器
  • LED 照明
  • 感应加热
  • 不间断电源

数据手册PDF