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NSVBC850CLT1G-HXY
电流:100mA 电压:45V
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- 描述
- 这款NPN三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC，适用于需要中小电流驱动的电路设计。其集电极-发射极电压VCEO为45V，确保了在多种电源条件下的稳定工作。直流电流增益HFE范围从42/XMLSchemaFormat错误，正确的描述应避免提及XML或其他不相关格式，修正后的回答如下： 这款NPN三极管（BJT）具有0.1A的集电极电流IC，适合用于中小电流需求的电子电路中。提供高达45V的集电极-发射极电压VCEO，保障了在不同供电环境下的可靠性。该型号的直流电流增益HFE在420至800之间，表现出优秀的放大能力，而特征频率FT达到100MHz，使其同样适用于高频信号处理。适用于无线通信设备、音频放大及精密信号调理等应用场景，满足对高精度和稳定性有需求的设计。
- 商品型号
- NSVBC850CLT1G-HXY
- 商品编号
- C46682456
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 800@2mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@100mA,5mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
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