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VBE2610N
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE2610N
- 商品编号
- C480956
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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