VBE165R04
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE165R04
- 商品编号
- C480951
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@1V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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原价
折合1圆盘
1+￥2.3205￥2.73
10+￥2.0655￥2.43
30+￥1.955￥2.3
100+￥1.819￥2.14
500+￥1.4195￥1.67
1000+￥1.3855￥1.63￥4075
优惠活动
库存总量
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购买数量
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