VBE1201K
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于中功率电子设备和模块，包括电源逆变器、电动工具驱动器和工业自动化控制系统等领域。TO252；N—Channel沟道,200V；5A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1201K
- 商品编号
- C480947
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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