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VBE1158N
1个N沟道 耐压:150V 电流:15.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252；N—Channel沟道,150V；25.4A；RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1158N
- 商品编号
- C480946
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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