VBE1101M
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE1101M
- 商品编号
- C480943
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
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1+￥1.3345￥1.57
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