VBC7P2216
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8；P—Channel沟道,-20V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC7P2216
- 商品编号
- C480942
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@1.8V,5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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