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VBC6P3033

2个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双P型场效应管,采用Trench技术,适合在紧凑空间内应用。TSSOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-5.2A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-32V;
商品型号
VBC6P3033
商品编号
C480941
商品封装
TSSOP-8
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,4.7A
属性参数值
耗散功率(Pd)1.14W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃

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