VBC6P3033
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双P型场效应管,采用Trench技术,适合在紧凑空间内应用。TSSOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-5.2A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-32V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC6P3033
- 商品编号
- C480941
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,4.7A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 1.14W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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原价
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1+¥6.4005¥7.53
10+¥5.2785¥6.21
30+¥4.658¥5.48
100+¥3.961¥4.66
500+¥3.4935¥4.11
1000+¥3.349¥3.94¥11820
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