INS2003W

INS2003是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专门解决传统MOSFET驱动器解决方案中常见的问题。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。INS2003具有输入互锁与内部自适应直通保护电路，确保即使在接近零死区时间时也不会同时输出导通。

INS2003有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，以实现最大的灵活性，并且驱动器具有分离输出，可分别调整导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使INS2003适用于高功率和高频应用。

• 独立的高端和低端逻辑输入
• 高端和低端驱动器互锁
• 分离输出，可调节导通/关断速度
• 强1Ω上拉和0.2Ω下拉电阻
• 内部强大且智能的自举开关
• 自适应直通保护
• 快速传播延迟（典型值20ns）
• 出色的延迟匹配（典型值1ns）
• 高端浮动电源最高可工作在100V DC
• 内置欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、过温保护（OTP）
• 35μA低VCC静态电流
• WLCSP 1.62mm×1.62mm封装

• 半桥和全桥转换器
• 高压同步DC-DC转换器
• 高频、高功率密度应用
• 48V直流电机驱动
• 高功率D类音频功率放大器
• 汽车48V/12V双向DC-DC