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NSi6601MB-DSPR
单通道隔离栅极驱动器，适用于驱动IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET，具备独立控制上升和下降时间、米勒钳位选项等功能
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- 品牌名称
- NOVOSENSE(纳芯微)
- 商品型号
- NSi6601MB-DSPR
- 商品编号
- C46593687
- 商品封装
- SOP-8-150mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.628684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 米勒钳位保护 |
商品概述
NSI6601M是一款单通道隔离栅极驱动器，旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离输出，可分别控制上升和下降时间，能够提供和吸收5A的峰值电流。NSI6601M采用SOP8或SOW8封装，分别支持3000VRMS和5700VRMS的隔离（符合UL1577标准）。该驱动器具备150kV/μs的最小共模瞬态抗扰度（CMTI），可增强系统的鲁棒性。驱动器的最大电源电压为32V，输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护。由于其高驱动电流能力、出色的鲁棒性、宽电源电压范围和快速的信号传播特性，NSI6601M适用于高可靠性、高功率密度和高效的开关电源系统。
商品特性
- 隔离单通道驱动器
- 米勒钳位选项（NSI6601MB/MC/WC）
- 输入侧电源电压：3.1V至17V；驱动器侧电源电压：最高32V，有9V和12V的UVLO选项
- 5A峰值源极和漏极输出电流
- 最小CMTI：±150kV/μs
- 典型传播延迟80ns
- 工作环境温度：-40°C ~ 125°C
- 符合RoHS和REACH标准
- 无铅元件，适用于260°C、MSL3的无铅焊接曲线
应用领域
- 隔离式DC/DC和AC/DC电源
- 高压PFC
- 太阳能逆变器
- 电机驱动和电动汽车充电
- UPS和电池充电器