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ISO6520QDRQ1
ISO6520QDRQ1
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- ISO6520QDRQ1
- 商品编号
- C46564689
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向通道数 | 0 | |
| 通道数 | 2 |
商品概述
ISO652x-Q1器件是高性能双通道功能性隔离器，面向对成本敏感、空间受限、需要非安全应用隔离的场景设计。隔离屏障支持450 VRMS工作电压和1000 VDC瞬态过电压。ISO652x-Q1器件在隔离CMOS或LVCMOS数字I/O的同时，可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时保持低功耗。每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器，由TI的双电容二氧化硅(SiO2)绝缘屏障隔开。ISO6520-Q1包含两个同方向的隔离通道，ISO6521-Q1包含两个方向相反的隔离通道。输入电源或信号丢失时，不带后缀F的器件默认输出高电平，带后缀F的器件默认输出低电平。这些器件可防止混合电压域系统数据总线上（如CAN和LIN）的地环路和噪声电流导致数据损坏。通过芯片设计和布局技术，ISO652x-Q1器件的电磁兼容性得到显著提升，可简化系统级ESD和辐射合规。
商品特性
- 双通道，CMOS输出功能性隔离器
- 50Mbps数据速率
- AEC-Q100认证，器件温度等级1，环境工作温度范围为-40℃ 至 +125℃
- 耐用的SiO2隔离屏障，典型CMTI为±150 kV/μs
- 支持功能性隔离(8-D封装):450 VRMS、637 VDC工作电压；707 VRMS、1000 VDC瞬态电压(60s)
- 宽电源范围:1.71V 至 1.89V 以及 2.25V 至 5.5V
- 支持1.71V 至 5.5V电平转换
- 提供默认输出高(ISO652x-Q1)和默认输出低(ISO652xF-Q1)选项
- 3.3V 1Mbps条件下，典型每通道电流为1.8mA
- 3.3V条件下典型传播延迟低至11ns
- 稳健的电磁兼容性(EMC)
- 系统级ESD、EFT和浪涌抗扰度
- 超低辐射
- 提供窄体SOIC(8-D)封装选项
应用领域
- 车身电子和照明
- 高端音频
- 启动发电机
- 电池管理系统(BMS)
- 主动悬架