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ISO6521FQDRQ1
ISO6521FQDRQ1
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- ISO6521FQDRQ1
- 商品编号
- C46558719
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向通道数 | 0 | |
| 通道数 | 2 |
商品概述
ISO652x-Q1器件是高性能、双通道功能隔离器，专为对成本敏感、空间受限，需要非安全应用隔离的场景设计。隔离屏障支持450 Vrms工作电压和1000 Vdc瞬态过电压。ISO652x-Q1器件在隔离CMOS或LVCMOS数字I/O的同时，提供高电磁抗干扰度和低辐射，低功耗。每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器，由TI的双电容二氧化硅(SiO2)绝缘屏障隔开。ISO6520-Q1有两个同方向的隔离通道。ISO6521-Q1有两个方向相反的隔离通道。当输入电源或信号丢失时，不带后缀F的器件默认输出为高电平，带后缀F的器件默认输出为低电平。这些器件有助于防止数据总线（如CAN和LIN）上混合电压域系统之间的接地环路和噪声电流导致数据损坏。通过芯片设计和布局技术，ISO652x-Q1器件的电磁兼容性得到了显著提升，有助于满足系统级ESD和辐射合规要求。
商品特性
- 双通道，CMOS输出功能隔离器
- 50Mbps数据速率
- AEC-Q100认证，温度等级1:环境工作温度范围-40℃至+125℃
- 坚固的SiO2隔离屏障，典型CMTI为±150kV/μs
- 功能隔离（8-D封装）:450 Vrms、637 Vdc工作电压；707 Vrms、1000 Vdc瞬态电压（60s）
- 宽电源范围:1.71V至1.89V和2.25V至5.5V
- 支持1.71V至5.5V电平转换
- 可选默认输出高电平（ISO652x-Q1）和默认输出低电平（ISO652xF-Q1）
- 3.3V 1Mbps条件下，每个通道典型电流为1.8mA
- 低传输延迟:3.3V条件下典型值11ns
- 强大的电磁兼容性（EMC），系统级ESD、EFT和浪涌抗扰度，超低辐射
- 可选窄体SOIC（8-D）封装
应用领域
- 车身电子和照明
- 高品质音频
- 起动发电机
- 电池管理系统（BMS）
- 主动悬架