温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

COS4422DT

高速功率MOSFET驱动器

描述: 9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能
品牌名称: COSINE(科山芯创)
商品型号: COS4422DT
商品编号: C46552822
商品封装: DIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.782克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	60ns
	传播延迟 tpHL	63ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.6V
	输入低电平(VIL)	700mV
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

COS4421/4422是单通道、大电流低侧栅极驱动器，能够驱动大型MOSFET、SiC、GaN和IGBT。独特的电路设计使其能够高速运行，可向10,000pF容性负载提供9A峰值电流。匹配的上升和下降延迟时间增强了其速度和驱动能力。非重叠驱动技术最大限度地减少了动态开关损耗。这些器件在其功率和电压额定值范围内具有很高的抗闩锁能力。当地线引脚上出现高达5V（任一极性）的噪声尖峰时，器件不会损坏。COS4421/4422的输入可直接由TTL或CMOS（1.6V ~ 25V）驱动。此外，300 mV内置滞回提供了抗噪声能力，并允许器件由缓慢上升或下降的波形驱动。如果输入未偏置或悬空，则输出保持低电平。

商品特性

高峰值输出电流：9A
高连续输出电流：2A
宽电源电压工作范围：4.5V ~ 25V
高容性负载驱动能力：35ns内驱动10nF（典型值）
短延迟时间：58ns（典型值）
匹配的上升/下降时间
低输出阻抗：0.5Ω（典型值）
低电源电流
过温保护
欠压锁定（UVLO）
非重叠驱动技术
输入可承受高达5V的负向输入
提供绿色SOP8、DIP8和DFN8封装

应用领域

驱动大型MOSFET、SiC和IGBT
重负载线路的线路驱动器
本地电源开关
电机和螺线管驱动器
开关模式电源

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~25V
	上升时间(tr)	35ns
	下降时间(tf)	36ns