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ISG3204LA
*半导体*晶体管
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- 描述
- 该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率
- 商品型号
- ISG3204LA
- 商品编号
- C46528000
- 商品封装
- LGA-30(5x6.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.3A | |
| 拉电流(IOH) | 1.7A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 3ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 20ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V | |
| 静态电流(Iq) | 35uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
ISG3204 是一款 100V、60A 的半桥 SolidGaN 器件，采用紧凑的 5mm × 6.5mm LGA 封装。该封装内集成了两个高性能 GaN FET、驱动器以及驱动器供电电容，提供了业界最紧凑、最高效的 GaN 功率解决方案。ISG3204 提供两个逻辑输入，分别用于控制高侧和低侧 GaN FET，以实现最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调节导通和关断强度，从而优化 EMI 和效率。ISG3204 具有输入互锁功能和内部自适应直通保护电路，即使在接近零死区时间的情况下也能确保输出不会同时导通。该器件内置全面的故障保护功能，包括用于防止过充并确保稳定栅极驱动电压的有源自举电压控制、针对 VCC 和 BST 的独立 UVLO 和 OVLO 以及过温保护。凭借快速的传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的 dv/dt 抗扰度以及极低的封装内寄生电感环路，ISG3204 使设计人员能够显著提高功率密度和效率。
商品特性
- 集成栅极驱动器的 2.4mΩ 半桥 GaN FET
- 80V 连续工作电压，100V 瞬态电压额定值
- 支持高达 5MHz 的开关频率
- 独立的高侧和低侧 PWM 输入
- 高侧和低侧驱动器互锁
- 内部强效且智能的自举开关
- 自适应直通保护
- 快速传播延迟（典型值 20ns）
- 出色的延迟匹配（典型值 1ns）
- 内置 UVLO、OVLO、OTP 保护
- 35μA 的低 VCC 静态电流
- 集成 VCC/BST 电容
- 高达 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
- 可调节的导通速度
- 针对简便和低 EMI PCB 布局进行优化
- LGA 5mm×6.5mm 封装，高度 1.12mm
应用领域
- 电机驱动应用