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IXTH120N20X4-VB
200V SGT TO247单NMOS场效应晶体管
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；200V；120A；RDS(ON)=8.5(mΩ)；VGS=±20V；Vth=4V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IXTH120N20X4-VB
- 商品编号
- C46527444
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- SGT技术功率MOSFET
- 100%进行R和UIS测试
- 最高结温150°C
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 不间断电源
- 交直流开关电源
- 照明
- 同步整流
- 直流-直流转换器
- 电机驱动开关
- 直流-交流逆变器
- 太阳能微型逆变器
- D类音频放大器