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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C475593
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- I72低导通电阻-快速开关速度-硅N沟道MOSFET-驱动电路可简化
商品特性
- 漏源击穿电压（BVDSS）≥ 30 V
- 漏极电流（ ID） = 100 mA
- 当栅源电压（VGS） = 4 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）≤ 8 Ω
- 当栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）≤ 13 Ω