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AO4459-GK

1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A

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描述
适用于电源开关和信号控制
商品型号
AO4459-GK
商品编号
C46061576
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.182333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)300pF

商品概述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • -30V、-6.5A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 30mΩ
  • 快速开关
  • 有环保器件可供选择
  • 适用于-4.5V栅极驱动应用

应用领域

-笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器

数据手册PDF